位置:P6KE91A > P6KE91A详情
P6KE91A中文资料
P6KE91A产品属性
- 类型
描述
- 型号
P6KE91A
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 77.8Vso 61VAC 4.8A
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
21+ |
DO-15 |
10584 |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
COMON |
24+ |
DO-15 |
14950 |
||||
VISHAY |
2021+ |
DO-15 |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
FAGOR |
24+ |
N/A |
10000 |
只做原装,实单最低价支持 |
|||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-15 |
5000000 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
|||
5000 |
公司存货 |
||||||
VISHAY |
23+ |
DO-15 |
19567 |
||||
VISHAY |
09+ |
DO-15 |
41000 |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
|||
求购IC |
2016+ |
DO-15 |
5083 |
||||
VISHAY |
23+ |
DO-15 |
60000 |
原装正品,假一罚十 |
P6KE91ARLG 价格
参考价格:¥0.9391
P6KE91A 资料下载更多...
P6KE91A 芯片相关型号
- 0253.062PAT1L
- 0253.125MXT1L
- 0253.375MXT1L
- 0253.500PAT1L
- 0253.630HXT1L
- 0253005.NXT1L
- 0253015.HXT1L
- 0253015.NXT1L
- 2SB783
- 3587-10TR
- C310T-SC-3.15-R
- CJ78L18_16
- P4KE56CA
- P6KE13C
- RS1-504S-D15
- RS1-605S-D15
- RS2-212S-D15
- RS3-408S-D15
- RS3-605S-D15
- SA11C
- SMAJ20C
- SMAJ40A
- SMAJ5.0C
- SMAJ90
- V24A24T500BG
- V24A28E400BF
- V24B36E200BG
- V24B36M200BL2
- V24B5E200B2
- V24B5M150BK
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业股份有限公司
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。 公司位于重庆市梁平工业园区,专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等),占地面积24万平方米,注册资金2.7亿元,总投资超过15亿元。公