位置：ICE13N65 > ICE13N65详情
ICE13N65中文资料
更新时间：2024-5-27 16:08:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RN |
新 |
812 |
全新原装 货期两周 |
||||
ROB |
23+ |
65480 |
|||||
ICS |
1922+ |
NA |
12900 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
Infineon |
23+ |
原厂封装 |
6591 |
原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
INFINEON |
21+ |
TO220 |
1625 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
TO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
INFINEON |
21+ |
TO220 |
5000 |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
ICE13N65 资料下载更多...
ICE13N65 芯片相关型号
ICEMOS相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
Icemos Technology Icemos 技术
中文资料: 61条
IceMOS Technology 成立于 2004 年，致力于将自己打造成具有成本效益/高性能的超级结 MOSFET、MEMS 解决方案和先进工程基板的一流供应商。我们的核心专长是晶圆键合、深度反应离子蚀刻 (DRIE) 和晶圆成型。 我们利用我们在 DRIE 方面的专业知识，为客户在体硅衬底或 SOI 上提供沟槽蚀刻和再填充服务。结合我们的 SOI 和沟槽蚀刻和再填充技术，我们为客户提供独特的介电隔离衬底制备服务。 SOI 材料广泛用于电信产品和光学设备、介电隔离集成电路、固态继电器和用于 MEMS 传感器的微加工组件、执行器和瑞士豪华手表行业的硅手表零件等应用。 如果尚未提供，
