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SGB07N120中文资料
SGB07N120产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGB07N120
- 功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT-263 |
17440 |
原装进口假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
pg-to263-3-2 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
2018+ |
TO-263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
INFINEON |
23+ |
7A1200V不带D |
2569 |
全新原装假一赔十 |
|||
INFINEON |
22+23+ |
TO-263 |
19073 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
PG-TO263-3 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
INFINEON |
08+(pbfree) |
P-TO263-3-2 |
8866 |
SGB07N120ATMA1 价格
参考价格:¥11.0101
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- JANTXV1N3038ATRUR-1
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Datasheet数据表PDF页码索引
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Infineon Technologies AG 英飞凌科技公司
据权威机构07芯片生产排行,infineon公司排在Intel、SAMSUNG、TI、ST之后,为全球第五大芯片生产商。其总部在德国的慕尼黑,企业文化:neverstopthinking.在中国苏州投资成立奇梦达,主要生产内存条,并允许北京瑞田达公司代理其电子产品。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场OTCQXInternationalPremier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,目前在中国已经拥有8家公司和1