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2N3583中文资料
2N3583产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N3583
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN High Power
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Central Semiconductor Corp |
24+ |
TO-213AA,TO-66-2 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
2000 |
20 |
||||||
MICROSEM |
247 |
||||||
MOT/RCA |
02+ |
TO-66 |
2830 |
||||
MOT |
23+ |
TO66 |
1100 |
特价库存 |
|||
MOTOROLA |
16+ |
TO-66 |
1200 |
原装现货假一罚十 |
|||
SSI |
16+ |
NA |
8800 |
原装现货,货真价优 |
|||
MOT |
23+ |
TO-66 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
2N3583 价格
参考价格：￥48.6798
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- 2N5264
- 2N5298
- 2N5492
- 2N5599
- 2N5619
- 357-039-458-158
- 357-039-458-168
- AMLDL-3035Z
- AMLDL-3070Z
- AMLDL-Z
- AMSR1.5-782.5-NZ
- AMSR1-781.8Z
- AMSR1-7812-NZ
- AMSR1-783.3Z
- AMSR2-782.5-NZ
- AMSR-7809-NZ
- AMSRB-783.3-NZ
- AMSRL-7815-NZ
- AMSRW-7815Z
- TSM9634F
- TSM9938T
- XAM3358ZCEA72
2N3583 晶体管资料
2N3583别名：2N3583三极管、2N3583晶体管、2N3583晶体三极管
2N3583生产厂家：美国无线电公司_美国硅晶体技术公司_美国得克萨斯仪
2N3583制作材料：Si-NPN
2N3583性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2N3583封装形式：直插封装
2N3583极限工作电压：250V
2N3583最大电流允许值：2A
2N3583最大工作频率：>10MHZ
2N3583引脚数：3
2N3583最大耗散功率：35W
2N3583放大倍数：
2N3583图片代号：D-8
2N3583vtest：250
2N3583htest：10000100
- 2N3583atest：2
2N3583wtest：35
2N3583代换 2N3583用什么型号代替：BUX84,BUY63,TIP63,TIP75(A),TIP75(B),TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
