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BD649中文资料
BD649产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD649
- 功能描述
达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
TO-220 |
3100 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
ST |
2119+ |
TO-220 |
20 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
90815 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
ST |
TO-220 |
70230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
ST |
2023+ |
TO-220 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
90815 |
||||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3330 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
POWER |
23+ |
SDM/DIP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
POWER |
23+ |
SDM/DIP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ST |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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BD649 芯片相关型号
BD649 晶体管资料
BD649别名：BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管
BD649生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司
BD649制作材料：Si-N+Darl+Di
BD649性质：低频或音频放大（LF）
BD649封装形式：直插封装
BD649极限工作电压：120V
BD649最大电流允许值：8A
BD649最大工作频率：<1MHZ或未知
BD649引脚数：3
BD649最大耗散功率：62.5W
BD649放大倍数：
BD649图片代号：B-10
BD649vtest：120
BD649htest：999900
- BD649atest：8
BD649wtest：62.5
BD649代换 BD649用什么型号代替：BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 22299条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
