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IXDD609D2TR中文资料

厂家型号

IXDD609D2TR

文件大小

322.52Kbytes

页面数量

14

功能描述

9A Peak Source/Sink Drive Current

MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

数据手册

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生产厂商

IXYS Integrated Circuits Division

简称

IXYS

中文名称

官网

LOGO

IXDD609D2TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDD609D2TR

  • 功能描述

    MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-29 17:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
2020+
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IXDD609D2TR 价格

参考价格:¥4.7943

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  • JIANGHAI
  • JIANGSU
  • JIEJIE

IXYS Integrated Circuits Division

中文资料: 8686条

作为固态继电器(SSR)的开发先驱,该公司已成为电信、安防、公用事业计量和工业控制行业的领先供应商。IXYSIntegratedCircuitsDivision的解决方案在很多应用中迅速取代了原有的机电器件,并增强了系统总体性能。他们将继续开发具有更高的集成度和电气性能的领先产品。1、通讯:开发应用于这一领域的ASIC和ASSP电路,以适应Internet应用对带宽的更大需求,如数据通讯和网络。2、通信:接口器件、连结方案,应用于远程办公设备。3、自动检测设备