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High Voltage HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
IXFH6N120产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH6N120
- 功能描述
MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247AD(IXFH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
26008 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
|||||
IXYS/Littelfuse |
2023 |
TO-247 |
3610 |
原厂代理渠道,正品保障 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IXYS |
21+ |
TO2473 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IXYS |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
23+ |
SMD |
67000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
公司只做原装正品 |
IXFH6N120P 价格
参考价格：￥28.2328
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- MASW-009590-000DIE
- MASWCC0009_V7
- MASWSS0070_V5
- MASWSS0169_V3
- MASWSS0178SMB
- MASWSS0178TR-3000
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- MASWSS0204TR-3000
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- P83
- P84
- P85
- P86
IXYS Corporation
中文资料: 8690条
IXYS Corporation是一家知名的半导体公司，成立于1983年，总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路，广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名，包括可控硅、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点，帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发，致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进，IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外，公司还提供全面的技术支持和服务
