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IXTQ200N10T中文资料

厂家型号	IXTQ200N10T
文件大小	175.47Kbytes
页面数量	5页
功能描述	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	IXYS Integrated Circuits Division
简称	IXYS
中文名称	官网
LOGO

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IXTQ200N10T产品属性

类型
描述
型号
IXTQ200N10T
功能描述
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

IXTQ200N10T供应商...

更新时间：2024-5-29 15:58:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IXTQ200N10T 价格

参考价格：￥17.7818

型号：IXTQ200N10T 品牌：IXYS 备注：这里有IXTQ200N10T多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTQ200N10T批发/采购报价，IXTQ200N10T行情走势销售排排榜，IXTQ200N10T报价。

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Datasheet数据表PDF页码索引

IXYS Integrated Circuits Division

中文资料: 8686条

作为固态继电器(SSR)的开发先驱，该公司已成为电信、安防、公用事业计量和工业控制行业的领先供应商。IXYSIntegratedCircuitsDivision的解决方案在很多应用中迅速取代了原有的机电器件，并增强了系统总体性能。他们将继续开发具有更高的集成度和电气性能的领先产品。1、通讯：开发应用于这一领域的ASIC和ASSP电路，以适应Internet应用对带宽的更大需求，如数据通讯和网络。2、通信：接口器件、连结方案，应用于远程办公设备。3、自动检测设备