RA30H4452M ： 三菱功放模块。公司优势库存。
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目?给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目?给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目?给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
注意事项：
1.高温度;本产品可能有发热，同时操作，请大家注意，有一个
可能收到烧伤直接触摸操作的产品或触摸的产品，直到寒冷的开关关闭后。
在不久的产品，不要将易燃材料有可能性出现的火灾。
2.代高频功率;本产品产生的高频功率。请大家注意，做
不泄漏不必要的电波，并使用该产品无损坏造成的人员和财产元
正常操作。
3.使用前;使用该产品前，请认真设计的设备，考虑人类的风险和
电波障碍的设备。
注意事项 - 三菱硅射频功率放大器装置的用途：
1，规格提都没有在这个数据表保证值。请确认其他详细信息
对于这些产品的操作从正规规格表。对于正式规范的副本
床单，请联系我们的销售办事处。
2.RA系列产品（ RF功率放大器模块）被设计为消费者的移动通信终端
并没有专门为在其它应用中使用而设计的。特别是，虽然这些产品具有很强的
可靠的设计目的，他们不是在质量保证测试协议，是制造
足以保证可靠性的电平通常认为有必要对关键通信的元件。
关键通信元素的例子包括发射基站的应用程序和固定的
该操作与长期的连续传输，并在更高的开关频率电台的应用
发送，特别是对于可具有高冲击到社会系统。
3.RA系列产品采用MOSFET半导体技术。它们对ESD电压敏感，因此
适当的ESD防范措施是必需的。
4.In为了最大化设备的可靠性，最好是保持设备温度低。这是
建议利用一个足够尺寸的散热片与其它冷却方法，如需要（风扇，
等）来保持的情况下温度对RA系列产品比60deg /℃的标准条件下低，并且
小于90度/℃的极端条件下。
5.RA系列产品被设计成操作成50欧姆的标称负载阻抗。下的条件
经营成一个严重的高负荷电压驻波比接近开路或短路，可能发生过负荷状态。在
最坏的情况下存在的风险为烧伤出晶体管和燃烧的其它部分，包括在所述基板
模块。
6，正式的规范包括规定的最大负荷下抵抗寄生振荡的保证
不匹配的情况。检查的寄生振荡，在我们的生产以抽样方式进行
线。所以建议验证没有寄生振荡，在已建成的设备水平上进行
也。
7.为了使这些产品的组件装到设备特定的预防措施，请参考
在规格表中的补充项目。
8.Warranty的产品是无效的，如果产品保护盖（盖）去掉，或者该产品的任何修改
从它的方式是原始的形式。
9.For额外的“安全第一”，在你的电路设计和说明有关资料，请参阅最后一页
此数据表。
10，请参考附加的注意事项，在正式的规格表。
