位置：MMBT918 > MMBT918详情
MMBT918中文资料
MMBT918产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT918
- 功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor
- RoHS
否
- 制造商
NXP Semiconductors
- 配置
Single
- 晶体管极性
NPN
- 最大工作频率
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO
15 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
2 V
- 集电极连续电流
0.15 A
- 功率耗散
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
- 最大工作温度
+ 150 C
- 封装/箱体
SOT-223
- 封装
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT |
23+ |
SOT-323 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
PANJIT |
2022 |
SOT23 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
PANJIT |
23+ |
SOT23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
PANJIT |
23+ |
NA/ |
600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
08+ |
SOT23 |
50000 |
深圳现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23 |
600000 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23(TO-236) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
22+ |
SOT23 |
23000 |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
|||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT23 |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
MMBT918LT1G 价格
参考价格：￥0.1662
MMBT918 资料下载更多...
MMBT918 芯片相关型号
- FMMT596
- FMMT717
- FMMTA06
- GDZJ47
- GLZ33D
- GLZ36B
- GLZ39D
- GLZ56
- LE24C043
- MMBD717SW
- MMBD914TG_09
- MMBT3904_08
- MMBT3904FN3
- MMBT3906_08
- MPC5604BEVLLR
- MPC8379CVRANGA
- MPC8379CZQANGA
- MPC8533HXALFB
- PK10N128VLQ150R
- PK10N128VML150R
- PK10N32VMJ150R
- PK10N64VMF150R
- PK10X1M0VMF150R
- PK10X32VMF150R
- PK10X512VMD150R
- PK10X64VLQ150R
- PK10X64VMD150R
- SMA3103
- STK672-432A-E
- ZJ3.0
MMBT918 晶体管资料
MMBT918别名：MMBT918三极管、MMBT918晶体管、MMBT918晶体三极管
MMBT918生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT918制作材料：
MMBT918性质：射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）
MMBT918封装形式：
MMBT918极限工作电压：30V
MMBT918最大电流允许值：0.05A
MMBT918最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT918引脚数：
MMBT918最大耗散功率：0.35W
MMBT918放大倍数：
MMBT918图片代号：NO
MMBT918vtest：30
MMBT918htest：999900
- MMBT918atest：.05
MMBT918wtest：.35
MMBT918代换 MMBT918用什么型号代替：3DG122D,
PANJIT相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
PANJIT International Inc. 強茂股份有限公司
中文资料: 27129条
強茂股份有限公司成立於1986年5月，為股票上市公司，並至1997年後，陸續通過ISO/IATF-16949、ESDS20.20、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等國際認證，並為電子行業公民聯盟(EICC)的會員之一。強茂擁有半導體上下游整合與自有核心技術的優勢，主要從事整流二極體、功率半導體、突波抑制器等分離式元件產品的生產；搭配洞察市場趨勢的觀察力，不斷推出符合市場需求的薄型化封裝。強茂以提供客戶更完整的產品服務為宗旨，行銷及佈局全球；全球總部位於台灣高雄，在北美、歐洲、日本、中國大陸、南韓和台灣台北等地均設有分公司或是辦事處提供客戶最完整和及時的業務以及技術服
