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AN1L3N中文资料

厂家型号	AN1L3N
文件大小	237.58Kbytes
页面数量	6页
功能描述	on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	Renesas Electronics America
简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
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相近规格书

AN1L3N产品属性

类型
描述
型号
AN1L3N
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92

AN1L3N供应商...

更新时间：2024-5-26 14:00:00

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AN1L3N 芯片相关型号

AN1L3N 晶体管资料

AN1L3N别名：AN1L3N三极管、AN1L3N晶体管、AN1L3N晶体三极管
AN1L3N生产厂家：
AN1L3N制作材料：Si-P+R
AN1L3N性质：开关管（S）
AN1L3N封装形式：直插封装
AN1L3N极限工作电压：60V
AN1L3N最大电流允许值：0.1A
AN1L3N最大工作频率：<1MHZ或未知工作频率
AN1L3N引脚数：3
AN1L3N最大耗散功率：0.25W
AN1L3N放大倍数：
AN1L3N图片代号：A-20
AN1L3Nvtest：60
AN1L3Nhtest：999900
AN1L3Natest：.1
AN1L3Nwtest：.25

AN1L3N代换 AN1L3N用什么型号代替：DTA143XS,KSR2005,UN411F,2SA1654,

RENESAS相关电路图

Datasheet数据表PDF页码索引

Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司

中文资料: 108969条

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验，是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司（日本20家，日本以外24家）年度销售额2006财年（截止至2007年3月）:9526亿日元（约83亿美元）从业人员：26000人（全世界20个国家、43家公司）瑞萨科技是世界十大半导体芯片