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NE4210S01-T1B中文资料

厂家型号

NE4210S01-T1B

文件大小

199.83Kbytes

页面数量

18

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

数据手册

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生产厂商

Renesas Electronics America

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

NE4210S01-T1B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE4210S01-T1B

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-5-28 17:43:00
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Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司

中文资料: 108970条

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片