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0805G102M101NT中文资料

厂家型号

0805G102M101NT

文件大小

923.62Kbytes

页面数量

11

功能描述

280W GaN WIDEBAND PULSED POWER

多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

0805G102M101NT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    0805G102M101NT

  • 功能描述

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT

  • RoHS

  • 制造商

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容

    10 pF

  • 容差

    1 %

  • 电压额定值

    250 V

  • 温度系数/代码

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in

    0505 外壳代码 -

  • mm

    1414

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 125 C

  • 产品

    Low ESR MLCCs

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-5-31 16:48:00
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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP