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CGR0218ZTR7中文资料
CGR0218ZTR7产品属性
- 类型
描述
- 型号
CGR0218ZTR7
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
PUSH-PULL 5MHz to 210MHz HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER
更新时间：2024-5-24 14:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEOHM |
1999 |
3000 |
原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
||||
NEOHM |
23+ |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
||||
CDE |
22+ |
34.925X47.625 |
90000 |
原装进口现货/百分百正品 |
|||
Cornell |
22+ |
NA |
75 |
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|||
CDE |
21+ROHS |
34.925X47.625 |
53655 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
CORNELLDUBILIER-CDE |
2020+ |
Bulk |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
CORNELL |
20+ |
电容器 |
296 |
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- P79
- P80
RF Micro Devices
中文资料: 4112条
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC)，1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%，由一群射频设计之专业研发团队所成立，设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上，设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术，例如：AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP
