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RF5110中文资料

厂家型号

RF5110

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278.59Kbytes

页面数量

14

功能描述

3V GSM POWER AMPLIFIER

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

RF5110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RF5110

  • 制造商

    RFMD

  • 制造商全称

    RF Micro Devices

  • 功能描述

    3V GSM POWER AMPLIFIER

更新时间:2024-5-24 15:15:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
22+
QFN16
15000
3V GSM功率放大器
RFMD
2020+
5000
原装现货/假一罚十/可开增票
RFMD
2021+
QFN
5980
只做原装,优势渠道,可订货开票
RFMD
2024+
QFN16
32560
原装优势绝对有货
RFMD
2020+
QFN
18600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
RFMD
23+
QFN16
8000
原装正品,假一罚十
RFMD
17+
QFN-16
5500
RFMD专营原装现货优势热卖
RFMD
0550+
DFN-16
6000
原装正品现货
RFMD
23+
QFN-16
90000
只做原装 !全系列供应可长期供货稳定价格优势!
RFMD
20+
QFN_16
1602
现货清仓,当天发货,可开票

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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP