位置:RF5117_06 > RF5117_06详情
RF5117_06中文资料
RF5117_06产品属性
- 类型
描述
- 型号
RF5117_06
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
更新时间:2024-5-23 14:51:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
22+ |
QFN16 |
90000 |
假一赔十原装现货 |
|||
RFMD |
22+ |
QFN16 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
RFMD |
24+ |
QFN |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
RFMD |
23+ |
QFN16 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
RFMD |
23+ |
QFN |
20000 |
||||
RFMD |
2023+ |
QFN |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN |
35400 |
一级代理/放心采购 |
|||
RFMD |
23+ |
QFN16 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN16 |
5000 |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN16 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
RF5117_06 资料下载更多...
RF5117_06 芯片相关型号
- C0201C109G4UAC
- C0603C103B2GC
- C062G102D2C0G5CP
- C066G102K5C0G5CP
- C0805A181M2GAH
- C1206Z109J1XAH
- C317C339G2R5HA
- C320C109J2R5HA
- C430C229J2G5HA
- C440C109J2G5HA
- C440C229J2G5HA
- C512C339F5G5CA
- C522C569F5G5CA
- CDR06BP109ADSR
- RF3809PCK-411
- RF3809PCK-413
- RF3854PCBA-41X
- RF3865PCK-411
- RF5110G
- RF5144
- RF5146SB
- T493A227K006AH6230
- T498A156K006AGE500
- T498X106K006AGE500
- T499A225K010AGE500
- XC6101D020
- XC6106D619
- XC6111D619
- XC6112D619
- XC6117D619
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP