位置:RFPA3809PCK-411 > RFPA3809PCK-411详情
RFPA3809PCK-411中文资料
RFPA3809PCK-411产品属性
- 类型
描述
- 型号
RFPA3809PCK-411
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
GaAs HBT 400MHz TO 2700MHz POWER AMPLIFIER
更新时间:2024-5-25 14:32:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
RFMD |
22+ |
SMD |
16500 |
原装现货假一赔十 |
|||
RFMD |
2021+ |
SMD |
3000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
|||
RFMD |
22+ |
SMD |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
RFMD |
1211+ |
SMD |
5500 |
原装现货支持BOM配单服务 |
|||
RFMD |
18+ |
RFMD |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
RFMD |
1904+ |
SOP8 |
2000 |
自家现货!原装特价供货!一片起卖! |
|||
RFMD |
2002 |
SOP8 |
65000 |
原装正品假一罚万 |
|||
RFMD |
2023+ |
SOP8 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
RFMD |
21+ |
SOP8 |
35400 |
全新原装现货/假一罚百! |
RFPA3809PCK-411 资料下载更多...
RFPA3809PCK-411 芯片相关型号
- 230-018ZL16-6XX
- 230-030FT22-3PZ
- 230-034FT16-6PY
- 287-018K4AP-2
- 287-035Z14PB
- 310-035HJ001Z108D09
- 377UW040XM15AT
- 891-10-064-30-120000
- ACT4088_11
- ACT4088US-T
- ACT4513YH-T
- ACT4515
- ACT5830QJ182-T
- ACT5830QJ1CF-T
- ACT8309_10
- ACT8325
- ACT8332
- ACT8342QKCQI-T
- ACT8798
- ACT8810
- ACT8810QJ1C1-T
- ACT8810QJ213-T
- E48SH12010NRFA
- E48SH1R540NRFA
- RF3024SR
- RF6886PCK-411
- RFPA0133TR13
- RFSA2614SR
- RFVC1801PCK-410
- RSB12Z_10
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP