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STB27NM60ND中文资料
STB27NM60ND产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB27NM60ND
- 功能描述
MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
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STMICROELECTRONICS |
23+ |
NA |
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STMicroelectronics |
TO263 |
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STM |
21+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
原装正品 有挂有货 |
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STM |
19+ |
2000 |
TO-263-3 (D2PAK) |
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STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
原装现货支持送检 |
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STM |
23+ |
TO263 |
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ST |
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ST(意法) |
23+ |
NA/ |
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STB27NM60ND 芯片相关型号
- 84CNQ
- 84CNQ060
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- CM600HC-24NFM
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- L78L05ACZ-AP
- L78L09ABUTR
- LQW18AN22NJ0ZB
- LQW18AN30NG8ZD
- MBRH(F)2045CTP
- QC1624.000F18A25R
- QC1632.000FSA25R
- QC1632.000FSB35R
- QC1632.000FSB41R3
- QC1638.400F20B41R3
- QC5A10.100F12D22AM
- QC5A30.100F20D22AM
- QC5A52.100F18B52AM
- QC5A8.000F08B32AM
- QC5A80.100F08A32AM
- SDF300PS09
- SDF300PS12
- SDF300PS15
- STFI24NM60N
- STMUX7000
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P80
STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团
意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股