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DTC123E中文资料

厂家型号

DTC123E

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192.63Kbytes

页面数量

3

功能描述

DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN RESISTORS)

- Bulk

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

Youshun Technology Co., Ltd

简称

UTC友顺

中文名称

友顺科技股份有限公司官网

LOGO

DTC123E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DTC123E

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2024-5-29 13:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC/友顺
2021+
TO92
100000
原装现货
ROHM/罗姆
24+
SOT-0603
7600
原装正品
onsemi(安森美)
23+
SOT-723
6547
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
Rohm Semiconductor
24+
SC-70,SOT-323
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ROHM
2014+
3000
公司现货库存
ROHM/罗姆
2019+
SOT-323
52000
原装正品,诚信经营。
ROHM
21+
SOT-723
8000
专营原装正品现货,当天发货,可开发票!
ROHM/罗姆
21+
SC-59-3
360000
只做原装,假一罚十
ROHM
21+
SMT3 (SOT-346) (SC-59)
15000
原装正品 有挂有货
ROHM
21+
15000
SMT3 (SOT-346) (SC-59)

DTC123EUAT106 价格

参考价格:¥0.0995

型号:DTC123EUAT106 品牌:Rohm 备注:这里有DTC123E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DTC123E批发/采购报价,DTC123E行情走势销售排排榜,DTC123E报价。

DTC123E 晶体管资料

  • DTC123E(A,F,L,S,V)别名:DTC123E(A,F,L,S,V)三极管、DTC123E(A,F,L,S,V)晶体管、DTC123E(A,F,L,S,V)晶体三极管

  • DTC123E(A,F,L,S,V)生产厂家

  • DTC123E(A,F,L,S,V)制作材料:Si-N+R

  • DTC123E(A,F,L,S,V)性质:开关管 (S)

  • DTC123E(A,F,L,S,V)封装形式:直插封装

  • DTC123E(A,F,L,S,V)极限工作电压:50V

  • DTC123E(A,F,L,S,V)最大电流允许值:0.1A

  • DTC123E(A,F,L,S,V)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • DTC123E(A,F,L,S,V)引脚数:3

  • DTC123E(A,F,L,S,V)最大耗散功率:0.3W

  • DTC123E(A,F,L,S,V)放大倍数

  • DTC123E(A,F,L,S,V)图片代号:A-68

  • DTC123E(A,F,L,S,V)vtest:50

  • DTC123E(A,F,L,S,V)htest:999900

  • DTC123E(A,F,L,S,V)atest:.1

  • DTC123E(A,F,L,S,V)wtest:.3

  • DTC123E(A,F,L,S,V)代换 DTC123E(A,F,L,S,V)用什么型号代替

UTC相关电路图

  • V3
  • Vacuumschmelze
  • VAISALA
  • VAISH
  • VANLONG
  • VARITRONIX
  • VATRONICS
  • VBSEMI
  • VCC
  • VECOW
  • Vectron
  • VERIS

Youshun Technology Co., Ltd 友顺科技股份有限公司

中文资料: 43618条

UTC集团成立于1990年,专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete 研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。 为提供客户完整的解决方案及具价格竞争优势,公司经营策略采IDM资源垂直整合,期望能给予客户最佳选择,并创造客户最大之经济效益。 IDM采取主动的方式,从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销, 在每一个关键点都充分掌握其自主的能力,以达到产能保障及技术自主,充分展现企业竞争力。 UTC具有完整模拟组件产品线,产品以类比IC为主(涵盖电源管理、电源驱动、运算放大器、比较器、数字功放、 逻辑IC等), 分立器件为主(涵盖低压MOS管 、高压MOS管、超结MOS、IGBT单