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SI4190DY-T1-GE3中文资料
SI4190DY-T1-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Super Trench technology Power MOSFET
• Excellent gate charge x Rds (on) product(FOM)
• Very low on-resfistance Rds (on)
• 100 Rg and UIS Tested
APPLICATIONS
• DC/DC Primary Side Switch
• Telecom/Server
• Motor Drive Control
• Synchronous Rectification
SI4190DY-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4190DY-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
SO-8 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
SO-8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
502428 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
V |
2020+ |
SO-8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY |
1503+ |
SOP-8 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
V |
21+ |
SO-8 |
15500 |
||||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
30746 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
8-SO |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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- 845-035-525-103
- CLU058-3618C4-403H5K2
- CLU710-1204C1-33GV1J8
- GVXO-41F
- GXO-3201L
- GXO-U103F
- LQW18AN8N4G80D
- LQW18AN94NJ80J
- LQW18AN9N1G80B
- MIC33050-CYHL
- MPTE-10C
- MS08568
- OD1-B015H05U14
- SMLJ16A
- SMLJ6.0CA
- SMLJ78A
- SOM-5897C5-S9A1E
- TFS1220C
- TFS897G
- TFS940B
- TLV707
- TLV70734PDQNR
- TPS54334DRCT
- TPS57140QDRCRQ1
VBSEMI相关电路图
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- P83
- P84
VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9617条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
