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VQ1001J中文资料
VQ1001J产品属性
- 类型
描述
- 型号
VQ1001J
- 功能描述
MOSFET QD 30V 0.83A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-23 16:00:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
12+ |
原厂封装 |
216 |
宇航IC只做原装假一罚十 |
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VISHAY |
24+ |
N/A |
6800 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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VISHAY |
24+ |
200 |
全新原装 |
||||
VISHAY |
DIP |
404 |
价格优势!军工IC一级分销商!可开增值税发票! |
||||
VISHAY |
18+ |
原厂原装假一赔十 |
216 |
原厂很远现货很近,找现货选星佑电子,原厂原装假一赔 |
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SILICONIX |
22+ |
DIP14 |
993 |
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙ |
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SIL |
00+ |
DIP |
700 |
特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购! |
|||
SI |
2017+ |
DIP |
25689 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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SILICON |
23+ |
DIP/16 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
SIL |
22+ |
DIP |
4650 |
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- TS80C31X2-VCBD
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