位置：首页 > IC中文资料第11214页 > 30N06
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
30N06 | 30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   |
30N06 | 60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired | UMWUMW 友台友台半导体 |  | |
30N06 | N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.31385 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
30N06 | N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：896.91 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
30N06 | 30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
30N06 | FastSwitching 文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
30N06 | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
30N06 | 60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •FastSwitching •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies, | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
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N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies, | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
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25A竊?0VN-CHANNELMOSFET 文件：130.1 Kbytes Page：5 Pages | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | | |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：896.9 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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30N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
30N06
- 制造商
UTC-IC
- 制造商全称
UTC-IC
- 功能描述
60V, 30A N-CHANNEL POWER MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TECH PUBLIC(台舟) |
24+ |
TO-252-2 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
TO-252251 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
57500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
6 |
原装现货假一赔十 |
||||
VBsemi |
22+ |
TO251 |
25000 |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
|||
2322+ |
NA |
33220 |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
||||
UTC/友顺 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
KIA |
22+ |
TO-252251 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO251 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
30N06芯片相关品牌
30N06规格书下载地址
30N06参数引脚图相关
- 51单片机
- 500t
- 5000
- 4921
- 4899
- 485接口
- 47471
- 4735
- 47301
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- 3g汽车
- 3579
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- 30P3100
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- 30N06L-TF3-T
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304003-00GC
2019-4-24
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- P80
