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NPNSiliconGermaniumRFTransistor

DESCRIPTION TheNESG340033isanidealchoiceforlownoise,lowdistortionamplification. FEATURES •NF=0.65dBTYP.@VCE=3.3V,IC=15mA,f=1GHz •Po(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=40mA,f=1GHz •OIP3=35.5dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=50mA,f=1GHz

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-5-25 17:48:01
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