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128Kx36Synchronous-PipelinedCacheSRAM

FunctionalDescription ThisCypressSynchronousBurstSRAMemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors. TheCY7C1347DSRAMintegrate131,072x36SRA

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress
更新时间:2024-5-24 12:29:01
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