| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   | |
HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Appl | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowtrrFastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(ON)HDMOSTMprocess ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Advantages ●Lowgate | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-9-7E2A-S12KS04-WP-B12M原装特价现货出售
E2A-S12KS04-WP-B12M
2022-7-11E101SD1CBE
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2021-11-16E104-035R
E104-035R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E2EL-X8F1-DM1C
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我QQ:97877805微信：wei555222777
2019-8-14E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述该Edge211是一个双三元司机在制造电压CMOS全过程。它是专为自动测试设备和仪器在成本，功能密度和电源都处于溢价。每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别-一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一终止电压或特殊的编程电压。该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏，低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案100兆赫及以下针电子应用。特点•100MHz运行•12V的
2013-3-5
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