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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FCD4N60TF | 600VN-ChannelMOSFET Description SuperFETTMis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,pro | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
4Amps,600VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC4N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
4Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET 文件:543.79 Kbytes Page:5 Pages | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd | |||
4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:397.76 Kbytes Page:8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N-ChannelPowerMOSFET 文件:987.64 Kbytes Page:7 Pages | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | |||
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件:607.6 Kbytes Page:7 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |
FCD4N60TF产品属性
- 类型
描述
- 型号
FCD4N60TF
- 功能描述
MOSFET 600V NCH MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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F |
2020+ |
DPAK |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
FSC |
TO252 |
17432 |
提供BOM表配单只做原装货值得信赖 |
||||
FAI |
2018+ |
TO252 |
6528 |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
|||
F |
22+ |
DPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FAIRCHILD |
11+ |
TO252 |
41 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Fairchild/ON |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
FAI |
22+23+ |
TO252 |
74756 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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FAI |
50 |
||||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
FCD4N60TF规格书下载地址
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一般描述它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204(SPM27-BA的包)•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15
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