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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.62Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FCD620N60ZFN-ChannelSuperFETIIFRFETMOSFET600V7.3A620m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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更新时间:2024-5-24 12:27:01
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