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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FCD900N60ZN-ChannelSuperFETIIMOSFET600V,4.5A,900m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FCD900N60ZN-ChannelSuperFETIIMOSFET600V,4.5A,900m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

600VN-ChannelMOSFET

Description SuperFET®IIis,Fairchild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •675V@TJ=150oC •Max.RDS(on)=900mΩ •Ultra

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-24 11:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
19+
DPAK
29600
绝对原装现货,价格优势!
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
25800
原装正品支持实单
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-252
5000
全新原装现货 价格优势
ON/安森美
22+
D-PAK
263527
优势价格原装现货提供BOM一站式配单服务
FAIRCHILD/仙童
22+
TO252
12245
现货,原厂原装假一罚十!
ON/安森美
23+
D-PAK
22820
原装正品,支持实单
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23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
ON
18+
TO-252
1600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
22+
TO252
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ON/安森美
21+
D-PAK
8080
只做原装,质量保证

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

    2019-12-11
  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204(SPM27-BA的包)•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥

    2013-2-15