FDD850N10L价格

参考价格:¥2.8135

型号:FDD850N10L 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD850N10L多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD850N10L批发/采购报价,FDD850N10L行情走势销售排行榜,FDD850N10L报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDD850N10L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDD850N10L

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip
FDD850N10L

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,15.7A,75mOhm

文件:316.81 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

BoostPak(N-ChannelPowerTrench짰MOSFETDiode)

文件:813.49 Kbytes Page:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDD850N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD850N10L

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-26 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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