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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=660V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-chTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-chTrenchMOSFET

文件:103.88 Kbytes Page:9 Pages

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

Nch60V3.5ASmallSignalMOSFET

文件:2.70218 Mbytes Page:14 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-6-6 22:59:01
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KEC
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