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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C

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友顺友顺科技股份有限公司

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400V,20AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

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更新时间:2024-5-23 18:56:01
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