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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
25N120	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
DTGN25N120	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
FGA25N120AN	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BRG25N120D	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage 文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
FGA25N120	1200V,25ANPTTrenchIGBT 文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-5-27 17:59:01

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G2R120MT33J
G2R120MT33J
2022-11-28
G2401CG
G2401CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-10
G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
2020-2-26
G2R-1-12V
G2R-1-12V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-12
G20N50C公司原装现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-4-16
G2995-DDR终端稳压器
概述在G2995是一个线性稳压器设计，以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3（系列存根终止逻辑）的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器，可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚，G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压，无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此，电力消耗满足低功耗的应用。
2013-1-29