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25Q32	8M-BIT,16M-BITAND32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80(8M-bit),W25Q16(16M-bit),andW25Q32(32M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.Theyareidealforcodes	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
25Q32BVAIG	3V32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI 1.GENERALDESCRIPTION TheW25Q32BV(32M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirec	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
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25Q32BV	3V32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI 文件：1.25174 Mbytes Page：78 Pages	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
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更新时间：2024-5-27 15:03:01

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2020-6-10
G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
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G2R-1-12V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-4-16
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概述在G2995是一个线性稳压器设计，以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3（系列存根终止逻辑）的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器，可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚，G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压，无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此，电力消耗满足低功耗的应用。
2013-1-29

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