型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GT30J101

SiliconNChannelIGBT

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

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GT30J101

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT30J101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT30J101

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

更新时间:2024-5-27 18:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
23+
管3P
18000
日本东芝TOS
1822+
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