IRF630NSTRLPBF价格

参考价格:¥2.7000

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF630NSTRLPBF

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

Fastswitching

Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

LowFrequencies

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OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT

COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

PULSETRANSFORMERS

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etc2

IRF630NSTRLPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630NSTRLPBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
TO-263
9800
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INFINEON/英飞凌
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明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
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D2PAK
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IR
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全线可订货.含税开票
INFINEON/英飞凌
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TO-263
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只做原厂渠道 可追溯货源

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