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IRFZ24N价格

参考价格：￥8.2276

型号：IRFZ24NHR 品牌：International Rectifier 备注：这里有IRFZ24N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFZ24N批发/采购报价，IRFZ24N行情走势销售排行榜，IRFZ24N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFZ24N

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinswitchedmodepowe

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
IRFZ24N

Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarew

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24N

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION •Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrols,these devicesareparticularlywellsuitedforbridgecircuitswhere diodespeedandcommutatingsafeoperatingareasarecritical andofferadditional

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRFZ24N

Advanced Process Technology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessT

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRFZ24N

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicethatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

ARTSCHIP
IRFZ24NL

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NL

Power MOSFET

PowerMOSFETVDSS=55V,RDS(on)=0.07mohm,ID=17A

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
IRFZ24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor

•FEATURES •WithTO-262(DPAK)packaging •Surfacemount •Highspeedswitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRFZ24NPBF

HEXFET Power MOSFET

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NS

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NS

Power MOSFET

PowerMOSFETVDSS=55V,RDS(on)=0.07mohm,ID=17A

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
IRFZ24NS

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •FastSwitching •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRFZ24NSPBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NSPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor

•FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Surfacemount •Highspeedswitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRFZ24NL

Advanced Process Technology

文件：169.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：247.79 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：247.79 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NS

Advanced Process Technology

文件：169.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRFZ24NSPBF

Advanced Process Technology

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

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IRFZ24NSPBF_15

Advanced Process Technology

文件：680.17 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ24NSTRL

Advanced Process Technology

文件：169.9 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFZ24N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ24N

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

IRFZ24N供应商更多...

更新时间：2024-6-6 22:30:00
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