IRGP4069DPBF价格

参考价格:¥18.2651

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGP4069DPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctionTemperature175°C •5μSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits •

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGP4069DPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGP4069DPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HIGHVOLTAGETEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES

FEATURES •ZENERVOLTAGE12.4Vto200V •TEMPERATURECOEFFICIENTRANGE:0.005/°Cto0.002/°C

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

HIGHVOLTAGEDIODES

FEATURES •ZENERVOLTAGE12.4Vto200V •TEMPERATURECOEFFICIENTRANGE:0.005/°Cto0.002/°C

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

12.4THRU200VOLTNOMINALZENERVOLTAGES5

•12.4THRU200VOLTNOMINALZENERVOLTAGES+5 •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •EFFECTIVETEMPERATURECOEFFICIENTSOF0.005/°CAND0.002/°C •HERMETICALLYSEALED,METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGSUBASSEMBLIESENCAPSULATEDINAPLASTICCASE

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE

HexInverter

TheMC14069UBhexinverterisconstructedwithMOSP–channelandN–channelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure.Theseinvertersfindprimaryusewherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired.Eachofthesixinvertersisasinglestagetominimizepropagat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Hexinverter

DESCRIPTION TheHEF4069UBisageneralpurposehexinverter.Eachofthesixinvertersisasinglestage.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

IRGP4069DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP4069DPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 76A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-26 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/IR
23+
TO247COPAK
90000
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票
IR
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-247-3
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IR
22+
TO247-3
9000
原装正品
IR/INFINEON
21+
TO-247
56000
公司进口原装现货 批量特价支持
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
9000
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票
Infineon Technologies
22+/23+
TO-247AC
7500
原装进口公司现货假一赔百
Infineon Technologies
24+
TO-247-3
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
INFINEON
23/22+
TO247-3
2000
全线可订货.含税开票
IR/INFINEON
2012+
TO-247
25
全新原装正品现货

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