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位置：首页 > IC中文资料第383页 > IXFK170N10

IXFK170N10价格

参考价格：￥35.8731

型号：IXFK170N10P 品牌：Ixys 备注：这里有IXFK170N10多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXFK170N10批发/采购报价，IXFK170N10行情走势销售排行榜，IXFK170N10报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFK170N10

HiPerFETPowerMOSFET

HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFK170N10P

PolarHiperFETPowerMOSFET

Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
CEB170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
CEF170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
CEP170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
FIR170N10PG

100VN-ChannelPowerMosfet

文件：3.11699 Mbytes Page：4 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
FIR170N10RG

N-ChannelPowerMOSFET

文件：2.24483 Mbytes Page：4 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER

IXFK170N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK170N10

  • 功能描述

    MOSFET 170 Amps 100V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXFK170N10供应商更多...

更新时间：2024-6-2 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳兆威电子有限公司
IXFK170N10P
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
90000
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IXFK170N10
IXYS
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IXFK170N10
IXYS-艾赛斯
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IXFK170N10P
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IXFK170N10P
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IXFK170N10
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IXYS
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IXFK170N10
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IXFK170N10
IXYS/艾赛斯
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深圳市国宇半导体科技有限公司
IXFK170N10
IXYS/艾赛斯
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