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更新时间：2024-5-26 23:00:00

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2020-1-11
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2019-12-2
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一般描述这是一个十六进制缓冲单片互补金属氧化物半导体（CMOS）的集成电路建与N和P沟道增强型晶体管。该器件的逻辑电平转换只用一个电源电压（VDD）.输入信号的高电平（VIH）的可超过VDD供电电压时，器件的逻辑转换。该设备用于为十六进制缓冲，到晶体管逻辑的CMOS/TTL电转换器或为CMOS电流驱动器的使用，并在VDD=5.0V时，它可以驱动在整个工作温度两个晶体管逻辑/TTL负载范围。
2013-2-28

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