位置：首页 > IC中文资料 > MPFS250T-1FCSG536E
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MPFS250T-1FCSG536E | PolarFireSoCAdvancedDatasheet ThisdatasheetdescribesPolarFire®SoCdevicecharacteristicswithindustrialtemperaturerange(–40°Cto100°CTJ)andextendedcommercialtemperaturerange(0°Cto100°CTJ).Thedevicesareprovidedwithastandardspeedgrade(STD)anda–1speedgradewithhigherperformance.TheFPGAco | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 |  |   |
MPFS250T-1FCSG536E | 封装/外壳：536-LFBGA，CSPBGA 包装：托盘 描述：MPFS250T-1FCSG536E 集成电路（IC） 片上系统（SoC） | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | | |
封装/外壳：536-LFBGA，CSPBGA 包装：托盘 描述：MPFS250T-1FCSG536EES 集成电路（IC） 片上系统（SoC） | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | | | |
PolarFireSoCAdvancedDatasheet ThisdatasheetdescribesPolarFire®SoCdevicecharacteristicswithindustrialtemperaturerange(–40°Cto100°CTJ)andextendedcommercialtemperaturerange(0°Cto100°CTJ).Thedevicesareprovidedwithastandardspeedgrade(STD)anda–1speedgradewithhigherperformance.TheFPGAco | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip / Microsemi |
20+ |
BGA-536 |
29860 |
Microchip全新FPGA-可开原型号增税票 |
|||
MICROCHIP |
22+ |
Low Profile Fine Pitch Ball Gr |
20000 |
原厂微芯渠道.全新原装! |
|||
Microchip |
23+ |
784-BFBGA |
923 |
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。 |
|||
Microchip Technology |
2年内批号 |
536-LFBGA |
4800 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
|||
Microchip Technology |
24+ |
536-LFBGA,CSPBGA |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
Microchip Technology |
23+ |
FBGA484 |
12800 |
强势渠道订货 7-10天 |
|||
Microchip |
21+ |
Low Profile Fine Pitch Ball Gr |
15000 |
只做原装 |
|||
Microchip Technology |
21+ |
536-LFBGA,CSPBGA |
2000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
|||
microchip |
23+ |
Low Profile Fine Pitch Ball Gr |
15423 |
原包装原标现货,假一罚十, |
|||
MICROCHIP/微芯 |
24+ |
SMT |
18000 |
诚以养德,用芯做事,全新原装原盒原标出货。 |
MPFS250T-1FCSG536E芯片相关品牌
MPFS250T-1FCSG536E规格书下载地址
MPFS250T-1FCSG536E参数引脚图相关
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MPH204T
- MPH_17
- MPH_15
- MPH_1
- MPG-60
- MPG1678
- MPG1668
- MPG1664
- MPG1662
- MPG1654
- MPG-100
- MPG06M
- MPG06K
- MPG06J
- MPG06G
- MPG06D
- MPG06B
- MPG06A
- MPG06
- MP-FW
- MPFS250TL-1FCVG484I
- MPFS250TL-1FCVG484E
- MPFS250TL-1FCSG484I
- MPFS250TL-1FCSG484E
- MPFS250TL-1FCG484I
- MPFS250TL-1FCG484E
- MPFS250TL
- MPFS250T-FCVG784I
- MPFS250T-FCVG784E
- MPFS250T-FCVG484I
- MPFS250T-FCVG484E
- MPFS250T-FCSG536I
- MPFS250T-FCSG536E
- MPFS250T-FCG1152I
- MPFS250T-FCG1152E
- MPFS250T-1FCVG784I
- MPFS250T-1FCVG784E
- MPFS250T-1FCVG484I
- MPFS250T-1FCVG484E
- MPFS250T-1FCSG536I
- MPFS250T-1FCSG484I
- MPFS250T-1FCSG484E
- MPFS250T-1FCG484I
- MPFS250T-1FCG484E
- MPFS250T-1FCG1152E
- MPFS250T
- MPFS160T
- MPFS095T
- MPFS025T
- MPFC-U-390-QP
- MPFC-U-390-HP
- MPFC-115-3P-270-FP
- MPFC-115-270-QP
- MPFC-115-270-HP
- MP-FB
- MPF-A-XX-SMT-T-KT-TR
- MPF-A-XX-SMT-T-KT
- MPF-A-XX-SMT-T
- MPF-A-XX-H-T
- MPF990
- MPF960
- MPF930
- MPF820
- MPF6661
- MPF6660
- MPF6659
- MPF4393
- MPF4392
- MPF256
- MPF112
- MPF111
- MPF110
- MPF109
- MPF108
- MPF107
- MPF106
- MPF105
- MPF104
MPFS250T-1FCSG536E数据表相关新闻
MPF300T-FCG784I
MPF200TS-FCS325M MPF300TS-FC484M MPF300TS-FCV484M MPF300TS-FCS536M MPF300TS-FC784M MPF500TS-FC784M
2022-11-14MPFS250T-FCVG484E FPGAs
Microchip的PolarFire是一款低功耗、多核RISC-VSoCFPGA
2022-9-27MPF300T-FCG784I现场可编程门阵列FPGA
MPF300T-FCG784I现场可编程门阵列FPGA
2022-7-26MPF5020AVNA0ES
功率管理專用-PMICPowerManagementIC，pre-prog，3step-downDC/DC，1LDO，QMSafetyLevel 瞭解更多
2021-3-22MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5VCMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。•浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
