型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF6VP21KHR6

RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

10--235MHz,1000W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforpulsedwidebandapplicationswithfrequenciesupto235MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. •TypicalPulsedPerformanceat225MHz:VDD

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飞思卡尔

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MRF6VP21KHR6

RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

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飞思卡尔

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MRF6VP21KHR6

封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

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MRF6VP21KHR6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6VP21KHR6

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-5-24 17:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Freescale(飞思卡尔)
23+
NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
NXP
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NI-1230高频管
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