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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
N6006NZ-S17-AY	N-channelMOSFET600V,6A,1.2Ω Description TheN6006NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=1.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±6.0	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间：2024-5-23 18:59:00

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N531531电机电磁炉LED大功率IGBT驱动SOT23-5/TO-94
2021-12-28
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N531SOT23-5TO94电磁炉LED大功率IGBT驱动MOS管全新原装
2021-12-28
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2020-9-10
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2020-8-17
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2020-4-19
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2019-12-13