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NCP330MUTBG价格
参考价格:¥1.5143
型号:NCP330MUTBG 品牌:ONSemi 备注:这里有NCP330MUTBG多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP330MUTBG批发/采购报价,NCP330MUTBG行情走势销售排行榜,NCP330MUTBG报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP330MUTBG | Soft-StartControlledLoadSwitch 文件:211.3 Kbytes Page:9 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
NCP330MUTBG | Soft-StartControlledLoadSwitch 文件:249.8 Kbytes Page:9 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
NCP330MUTBG | 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4UDFN 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
功能:配电开关(负载开关) 包装:盒 描述:EVAL BOARD NCP330MUTBG 开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment | PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司 | |||
HighRippleandUltra-LongLife 文件:470.2 Kbytes Page:6 Pages | CDE Cornell Dubilier Electronics | |||
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CeleronDProcessor 文件:1.75778 Mbytes Page:82 Pages | IntelIntel Corporation(Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔(集成电子公司) |
NCP330MUTBG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP330MUTBG
- 功能描述
电源开关 IC - 配电 3A LOAD SWITCH
- RoHS
否
- 制造商
Exar
- 输出端数量
1
- 开启电阻(最大值)
85 mOhms
- 开启时间(最大值)
400 us
- 关闭时间(最大值)
20 us
- 工作电源电压
3.2 V to 6.5 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-23-5
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
15+ |
UDFN4 |
276 |
全新原装 实单必成 |
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ON/安森美 |
21+ |
UDFN4 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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ON(安森美) |
22+ |
NA |
8000 |
原厂原装现货 |
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onsemi(安森美) |
2021+ |
UDFN-4 |
502 |
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ON Semiconductor |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研单位合格供应商!现货库存 |
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ON/安森美 |
22+ |
UDFN-4 |
6000 |
只做原装,假一赔十 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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ON/安森美 |
23+ |
UDFN-4 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
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ON/安森美 |
23+ |
UDFN4 |
6000 |
大批量供应优势库存热卖 |
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ON |
20+ |
DFN |
65300 |
一级代理/放心购买! |
NCP330MUTBG规格书下载地址
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NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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