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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP3335AMN285R2G	UltraHighAccuracy,LowIq,500mALowDropoutRegulator 文件：128.789 Kbytes Page：15 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335AMN285R2G	UltraHighAccuracy,LowIq,500mALowDropoutRegulator 文件：283.52 Kbytes Page：21 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335AMN285R2G	UltraHighAccuracy,LowIq,500mALowDropoutRegulator 文件：273.35 Kbytes Page：21 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335AMN285R2G	封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC REG LINEAR 2.85V 500MA 10DFN 集成电路（IC）线性 + 开关稳压器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3335AMN285R2G	封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC REG LINEAR 2.85V 500MA 10DFN 集成电路（IC）稳压器 - 线性	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-5-23 18:42:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	onsemi(安森美)	23+	DFN-10(3x3)	7178	百分百原装正品,可原型号开票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	onsemi(安森美)	23+	DFN-10(3x3)	3022	特价优势库存质量保证稳定供货	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	ON Semiconductor	21+	10DFN	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	ON Semiconductor	22+	10DFN	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	OnBright(昂宝)	18+		9800	代理进口原装/实单价格可谈	询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	ON Semiconductor	2021+	SOIC	57500	科研单位合格供应商!现货库存	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NCP3335AMN285R2G	ON Semiconductor	23+	10DFN	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NCP3335AMN330R2G	ON	22+23+	QFN	29727	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NCP3335AMN285R2G	ON-安森美	24+25+/26+27+	DFN-10	9328	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	NCP3335AMN330R2G	ON	2010	QFN	4100	低价支持实单!全新现货!	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP361SNT1G
MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26