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位置：首页 > IC中文资料第1793页 > NE58219-T1-A

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE58219-T1-A

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR3PINSULTRASUPERMINIMOLD

DESCRIPTION TheNE58219/2SC5004isalowsupplyvoltagetransistordesignedforUHFOSC/MIX. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedultrasuperminimoldpackage. FEATURES •HighfT:5.0GHzTYP.(@VCE=5V,IC=5mA,f=1GHz) •

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE58219-T1-A

封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：托盘 描述：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE58219-T1

NECsNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR3PINSULTRASUPERMINIMOLD

DESCRIPTION NECsNE58219isalowsupplyvoltagetransistordesignedforUHFMixerandoscillatorapplications.The3pinultrasuperminimoldpackagemakesthisdeviceideallysuitedforhighdensitysurfacemountassembly. FEATURES •HIGHfT:5GHzTYPatVCE=5V,IC=5mA,f=1GHz •

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

NE58219-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE58219-T1-A

  • 功能描述

    射频双极小信号晶体管 NPN UHF Mixer/Osc

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    NPN

  • 最大工作频率

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    2 V

  • 集电极连续电流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 封装/箱体

    SOT-223

  • 封装

    Reel

NE58219-T1-A供应商更多...

更新时间：2024-5-13 18:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
NE58219-T1-A
NEC
23+
SOP-8
18000
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NE58219-T1-A
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SOT-523
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NE582M03-T1-A
RENESAS/Renesas Electronics Am
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SOT423
2000
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NE58230
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SOT323
31000
全新原装
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NEC
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SOT423
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50000
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NE58219-T1-A
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SOT-423
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中科航电（深圳）电子集团有限公司
NE582M03-T1-A
RENESAS
SOT423
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NE58219-T1-A规格书下载地址

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