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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE645 | DolbyNoiseReductionCircuit DESCRIPTION TheNE645/646isamonolithicaudionoisereductioncircuitdesignedasdirectreplacementdevicefortheNE645B/NE646BinDolby*B-Typenoisereductionsystems. | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ||
NPNSILICONLOWNOISERFTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASINE64535isaCommonEmitterDeviceDesignedforLowNoiseClassAAmplifierApplicationsupto4.0GHz. FEATURESINCLUDE: •NF=1.6dBTypical@2GHz •|S21E|2=11dBTypical@2GHz •HermeticCeramicPackage | ASI Advanced Semiconductor, Inc | |||
DolbyNoiseReductionCircuit DESCRIPTION TheNE645/646isamonolithicaudionoisereductioncircuitdesignedasdirectreplacementdevicefortheNE645B/NE646BinDolby*B-Typenoisereductionsystems. | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |||
LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
VeryLowJitterHCSLClock 文件:662.87 Kbytes Page:7 Pages | CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司 | |||
600Hand600NHseries 文件:324.88 Kbytes Page:8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |
替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Dolby Noise Reduction Circuit | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |||
Integrated Circuit Dolby Noise Reduction Circuit | NTENTE Electronics, Inc |
NE645产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE645
- 功能描述
Dolby Noise Reduction Circuit
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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HEF |
20+/21+ |
DIP |
8976 |
全新原装现货,量大价优! |
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PHI |
6000 |
面议 |
19 |
DIP |
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22+ |
2450 |
公司只做原装!现货供应! |
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PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
PHI |
DIP |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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SIGNETICS |
1990 |
DIP |
98 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
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ASI |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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PHILIPS |
19+ |
DIP |
15868 |
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PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
DIP |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
NE645规格书下载地址
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2023-3-16NE5568-交换式电源控制器
描述该NE5568是一个使用的开关式电源控制电路供应。它包含一个内部温度补偿的供应,脉宽调制,锯齿振荡器,过电流检测锁存和输出阶段。该装置适用于低成本开关电源的应用场合广泛的看家功能不是必需的。是的NE5568作者:NE5561所选版本。特征•微小型(四)包•脉宽调制器•电流限制(按周期循环)•锯齿波发生器•稳压电源•双脉冲防护•内部温度补偿基准
2013-3-7NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达±3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK-5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631-XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9V,2.0V,为2.7V,2.8V,2.9V,3.0V,3.1V,4.2V,4.3V,4.4V,4.5V,4.6V。根据要求提供其它阈值从100mV的步长1.9V至4.6V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631-XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。应用•复位微处理器和逻辑电路•电压
2012-11-18
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