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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE6510179A-A | NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
NE6510179A-A | 封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：FET RF 8V 1.9GHZ 79A 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | |
NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Laboratories | | | |
N-CHANNELGaAsHJ-FET 1WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION TheNE6510179Aisa1WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering1Wofoutputpower(CW)withhighlinear gain,highefficiencyandexcellentdist | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE6510179A-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE6510179A-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
23+ |
SOP-16 |
5000 |
原装现货,优势热卖 |
|||
NEC |
22+ |
2679 |
原装优势!绝对公司现货!可长期供货! |
||||
CEL |
17+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
NEC |
23+ |
SOT-79A |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
1923+ |
NAME |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
|||
NEC |
SMT86 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
|||||
NEC |
21+ |
6688 |
十年老店,原装正品 |
||||
NEC/Renesas Electronics Americ |
21+ |
SMT86 |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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2013-3-7NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达±3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK-5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631-XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9V，2.0V，为2.7V，2.8V，2.9V，3.0V，3.1V，4.2V，4.3V，4.4V，4.5V，4.6V。根据要求提供其它阈值从100mV的步长1.9V至4.6V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631-XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用•复位微处理器和逻辑电路•电压
2012-11-18
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