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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

700V0.75(ohm)N-channelMOSFET

文件:1.11442 Mbytes Page:10 Pages

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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更新时间:2024-5-26 20:00:01
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