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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
40N06	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW 友台友台半导体
40N06	FastSwitching 文件：68.1 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
40N06	N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.86 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
40N06B	38A竊?0VN-CHANNELMOSFET 文件：196.75 Kbytes Page：5 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
DTU40N06	TrenchFETPowerMOSFET 文件：278.63 Kbytes Page：7 Pages	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd

P40N06LDG供应商更多...

更新时间：2024-5-27 17:36:01

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P3A9606JKZ
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2024-2-22
P4SMA10CA
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2023-5-15
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2020-3-3
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2020-3-2
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2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20