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STB7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnology,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMosfetswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,exceptionala	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGB7NB40LZ	N-CHANNELCLAMPED14A-D2PAKINTERNALLYCLAMPEDPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thebuiltincollector-gatezenerexhibitsaverypreciseactiveclampingwhilethegate-emitter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP7NB40	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP7NB40FP	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB7NB40	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10785 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-5-27 22:58:01

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製造商:Littelfuse 產品類型:ESD抑制器/TVS二晶體 RoHS:詳細資料產品類型:TVSDiodes 極性:Bidirectional 操作電壓:12.8V 終端類型:SMD/SMT 封裝/外殼:DO-214AA-2 擊穿電壓:15.8V 鉗位電壓:21.2V Pppm-峰值脈衝功率消耗:600W Vesd-電壓靜電放電觸點:- Vesd-電壓靜電放電空
2020-10-15

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